采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達±0.075%FS + 隔膜系統的影響;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采(cai)用高性能(neng) EMC 防護電路模塊,有效降低電磁(ci)擾(rao)動對產品的輸出影響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達±0.075%FS + 隔膜系統的影響;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采(cai)用(yong)高性能 EMC 防護電路(lu)模塊(kuai),有(you)效降低電磁(ci)擾(rao)動(dong)對(dui)產品的輸出影(ying)響(xiang)。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.075%FS + 隔膜系統的影響;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高(gao)性(xing)能(neng) EMC 防護(hu)電路模(mo)塊,有(you)效降低電磁(ci)擾動對產品的(de)輸出影響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.1%FS;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用(yong)高性能 EMC 防護電路模塊,有效降低電磁(ci)擾(rao)動對產品的輸出影響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.075%FS;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能 EMC 防護電路模塊,有效降低電磁擾動對產品的輸出影響;
穩定(ding)性(xing)強可達 ±0.1%SPAN/5 年。